وبلاگ

:

یکی از مواد نانومتری که کاربردهای تجاری گسترده ای در صنعت لاستیک پیدا کرده است و اکنون شرکت های بزرگ لاستیک سازی به طور گسترده ای از آن در محصولات خود استفاده می کنند. ذرات نانومتری خاک رس است که با افزودن آن به لاستیک خواص آن بطور قابل

 ملاحظه ای بهبود پیدا می کند که از جمله می توان به این موارد اشاره کرد: افزایش مقاومت لاستیک در برابر سایش و افزایش استحکام مکانیکی، افزایش مقاومت گرمایی، کاهش قابلیت اشتعال، بهبود بخشیدن اعوجاج گرمایی، استفاده از نانو ذرات خاک رس نیز بر عوامل زیر می تواند تأثیر داشته باشد: افزایش دمای اشتعال لاستیک: تهیه نانو کامپوزیت الاستومرها از جمله SBR مقاوم، به عنوان مواد پایه در لاستیک سبب بهبود برخی خواص از جمله افزایش دمای اشتعال و استحکام مکانیکی بالا می شود و دلیل اصلی آن حذف مقدار زیادی از دوده است. کاهش وزن لاستیک: تهیه و بهینه سازی نانو کامپوزیت الاستومرها با وزن کم از طریق جایگزین کردن این مواد با دوده در لاستیک، امکان حذف درصد قابل توجهی دوده توسط درصد بسیار کم از نانوفیلر وجود دارد. بطوریکه افزودن حدود 3 تا 5 درصد نانوفیلر می تواند استحکام مکانیکی معادل 40 تا 45 درصد دوده را ایجاد کند. بنابراین با افزودن 3 تا 5 درصد نانوفیلر به لاستیک، وزن آن به مقدار قابل توجهی کاهش می یابد. قطعات لاستیکی خودرو: نانوکامپوزیت الاستومرها می تواند به عنوان یک ماده پرمصرف در صنایع ساخت و تولید قطعات خودرو بکار رود. از ویژگی های این مواد، بالا بودن مدول بالا، پایداری ابعاد، وزن کم و مقاومت سایشی بالا می باشد. استفاده از نانو ذرات خاک رس در الاستومرهای SBR,BR,NR که در قسمت های مختلف تایر استفاده می شود، می تواند تغیرات چشمگیری را در خواص آنها ایجاد کند. نسبت وزن تایر به عمر آن: با افزودن میزان مصرف یکی از نانوفیلرها می توان مصرف دوده را پایین آورد. به عبارت دیگر اگر وزن تایر کم شود، عمر لاستیک افزایش می یابد. بنابراین جهت بالابردن عمر لاستیک کافی است با افزودن یک سری مواد نانومتری به لاستیک عمر آن را افزایش داد. 

:

نانو کامپوزیت های پلمیری جز گروه جدیدی از کامپوزیت هایی هستند که در آنها مقدار مواد پر کننده بین 1 نانومتر تا 100 نانومتر در نوسان می باشد. خواص مکانیکی، حرارتی، بازدارنده شعله ای، سد کنندگی به علت نسبت صفحه ای بالای مواد پر کننده افزایش پیدا می کند، بدون اینکه با فقدان قابل توجهی در میزان شفافیت، سختی یا مقاومت ضربه ای روبه رو شوند. ساختار خاک رس مونتموریلونیت به کار رفته به عنوان ماده پر کننده از یک صفحه اکسیدآلومینیوم هشت ضلعی تشکیل شده که در بین دو صفحه سیلیسی چهارضلعی قرار گرفته است. سیلیکات لایه ای به طور کلی از طریق تبادل کایتون غیر آلی که در بین لایه هایی با یک کایتون آمونیوم آلی قرار گرفته است، از مواد آلی ساخته شده است. یون های آلکیل آمونیوم باعث کمتر شدن انرژی سطحی خاک رس می شوند، به گونه ای که مونومرها و پلیمرها با میزان قطبیت متفاوت می توانند وارد فضای بین لایه ها شوند و باعث تفکیک پذیری بیشتر لایه های سیلیکات به منظور تشکیل نانو

 کامپوزیت ها می شوند. اولین تحقیقات انجام شده در رابطه با نانو کامپوزیت ها توسط آقای اوکارا و همکارانش انجام شد. کسی که توانست مونتموریلونیت تبادل شده یون را به عنوان عنصری تقویت کننده در پلی کاپرولاکتام منتشر کند. وایا و همکارانش در زمینه جنبش شناسی افزایش طول در مرحله ذوب پلیمر تحقیقاتی را انجام دادند و متوجه وجود مکانیسمی شدند که از طریق آن زنجیره های پلیمری در داخل فضاهای خالی بین لایه های سیلیکات نفوذ می کنند. آگاگ و همکارانش در زمینه خواص مکانیکی و حرارتی نانوکامپوزیت های رسی پلیمری تحقیق کردند. فو و گوتوبودین در زمینه لایه لایه شدن تک لایه های مونتموریلونیت ساخته شده از مواد آلی در پلی استایرن تحقیقاتی را انجام دادند. برخی از تحقیقات در رابطه با پلیمرهای ترموست انجام شده اند. لی و چانگ در رابطه با کامپوزیت هیبریدی خاک رس اپوکسی که از طریق پلیمریزه کرده امولسیون تهیه شده است، توضیحاتی را ارانه دادند. کورن مان و همکارانش در زمینه پلی استر غیراشباع مستقر بر روی نانو کامپوزیت ها و مونتموریلونیت تغییر یافته از طرق عنصر جفت شده سیلان تحقیقاتی را انجام دادند. آقای کورمان و همکارانش نانوکامپوزیت های خاک رس اپوکسی را از مواد مصنوعی تولید کردند و ماهیت عامل سخت شدن را بر روی ساختار کامپوزیت ها مورد تجزیه و تحلیل قرار دادند. در تحقیقاتی که در حال حاضر انجام می شوند، مواردی همچون کامپوزیت های پلی استر غیر اشباع مونتموریلونیت، تاثیرات مونتموریلونیت تغییر یافته از مواد آلی و تغییر نیافته بر روی خواص فیزیکی مورد بررسی قرار می گیرند. نتایج بدست آمده از این تحقیقات از طریق پرداش اشعه ایکس، گرماسنج پویشی افتراقی و میکروسکوپ الکترونی پویشی تأیید شده اند. تأثیرات ترکیب کردن فراصوتی بر روی خواص مکانیکی مورد بررسی قرار گرفتند. 

افزون بر 20 سال است که صنعت میکرو الکترونیک کمابیش همگام با قاعده مور پیش می رود. اعمال قاعده مقیاس بندی در فناوری CMOS منجر به بهبود چگالی افزاره ها، بهبود عملکرد و کاهش هزینه ساخت آنها گردیده است. با ادامه قاعده مقیاس بندی در مدارات مجتمع با این سوال مواجه می شویم که آیا صنعت میکروالکترونیک به حد نهایی مقیاس بندی رسیده است یا نه؟ از جمله مشکلات قابل ذکر که فناوری CMOS در مسیر مقیاس بندی در رژیم زیر 100 نانومتر با آن مواجه می باشد، می توان به اثرات کانال کوتاه، توان مصرفی، ولتاژ آستانه، اثرات میدان بالا، مشخصه های اکسید گیت، تاخیرهای اتصالات داخلی و نقش نگاری اشاره نمود. در فناوری Si   CMOS افزایش تراکم ناخالصی کانال برای محدود کردن اثرات کانال کوتاه صورت می گیرد ولی متاسفانه این امر به کاهش قابلیت حرکت و تقویت جریان نشتی منتهی می گردد. برای رفع این مشکل SOI MOSFET های فوق العاده نازک طراحی شده اند که از مزایای زیر برخوردارند:
1) عدم نیاز به آلایش و یا نیاز به آلایش کم کانال در این افزاره ها، مشکل اثر کانال کوتاه را رفع می نماید.

2) کاهش پراکندگی کولمبی و میدان موثر عمودی به ارتقا قابلیت حرکت حامل ها در کانال SOI MOSFET ها منتهی شده و خازن پارازیتی

 پیوند سورس / درین کاهش می یابد.

3) فرایندهای جداسازی ساده مانند فناوری mesa به راحتی به فرایند ساخت این افزاره ها قابل اعمال می باشد.
4) مشکل نوسانات کوچک ولتاژ آستانه، به دلیل تراکم پایین ناخالصی های کانال مرتفع می شود.
با وجود تمام مزایای ذکر شده، قابلیت حرکت حامل ها و بالاخص قابلیت حرکت حفره ها در لایه وارون کانال سیلیسیم توده ای در SOI MOSFET ها در مقایسه با دیگر نیمه هادی ها مانند Ge و GaAs کاملا پایین می باشد. این امر موجب محدودیت در سرعت کلیدزنی افزاره های CMOS زیر 100 نانومتر می گردد. بنابراین استفاده از روش هایی مانند اعمال کرنش به سیلیسیم معمولی جهت افزایش قابلیت حرکت حفره ها و یا استفاده از موادی که خصوصیات انتقال بهترین نسبت به سیلیسیم معمولی دارند، به دو دلیل ممکن است راه حل مناسبی باشد. در اثر رشد چاه های کوانتومی Si/Ge در کانال، کرنش مابین لایه های سیلیسیم و سیلیسیم ژرمانیم شکل می گیرد؛ در این راستا، قابلیت حرکت الکترون ها و حفره ها حداقل تا میزان دو برابر افزایش می یابد. بنابراین Strained Si MOSFET از ساختارهایی هستند که در آنها قابلیت حرکت الکترون ها و حفره ها بالا می باشد علاوه بر این، حامل های محبوس در چاه کوانتومی، از پراکنش ناخالصی های یونیزه شده در مقایسه با سامانه ماده Si/SiO2 به میزان زیادی جلوگیری می نماید. سامانه Si/Ge با کمک به افزایش جریان راه انداز موجب کاهش زمان های تاخیر اتصالات داخلی می شود. برای یاری جستن از مزایای توام فناوری SOI MOSFET و strained Si MOSFET ترکیب جدیدی از MOSFET ها تحت عنوان Strained SOI MOSFET پدید آمده اند.

شبكه های كامپیوتری علیرغم منافعی از قبیل اشتراك قدرت محاسباتی و منابع، خطراتی را نیز خصوصا در زمینه امنیت سیستم به همراه آورده اند. در طی دو دهه اخیر تلاشهای تحقیقاتی فراوانی در زمینة امنیت شبكه صورت گرفته و تكنیك های مختلفی برای ساختن شبكه های امن ارائه شدهاند. در این پایان نامه عملكرد دو شبكة عصبی تحت سرپرست MLP و Elman  در تشخیص تهاجم به شبكه های رایانه ای بررسی شده است. در فصل 1 كلیات این پژوهش شامل هدف، تحقیقات انجام شده و نحوه انجام پژوهش بررسی شده است. در فصل 2 توضیحاتی در خصوص شبكه های عصبی MLP و Elman  و نحوه آموزش این شبكه ها ارائه شده است. در فصل 3 سیستمهای تشخیص تهاجم، به همراه انواع و نحوه كار آنها بررسی شده است. همچنین در مورد برخی انواع حملات قابل تشخیص توسط این سیستمها نیز توضیحاتی ارائه شده است. در فصل 4 در خصوص داده های آموزش و آزمون KDD CUP 99 و همچنین نحوه پیش پردازش این داده ها، جهت تبدیل آنها به قالب مورد قبول شبكة عصبی، توضیحاتی ارائه شده است. در فصل 5 سیستم های تشخیص تهاجم مبتنی بر شبكه های عصبی ایستا و پویای MLP و Elman  توضیح داده شدهاند و سپس عملكرد این شبكه ها در تشخیص حملات و دستهبندی آنها به 5 گروه خروجی، بررسی و مقایسه شده است. در پایان فصل 6 به نتیجه گیری، بیان پیشنهادات و نیز ارائه پیوست های لازم پرداخته است.

فصل اول

كلیات
1-1 هدف
با رشد تكنولوژی های مبتنی بر اینترنت، كاربرد شبكه های رایانه ای در حال افزایش است و در نتیجه تهدیدات حملات رایانه ای نیز گسترش می یابد. در برخی موارد خسارات ناشی از حملات رایانه ای برای سازمان ها به میلیونها دلار میرسد و حتی گاهی مواقع این خسارات جبران ناپذیر هستند. بنابراین، امروزه تشخیص تهاجم بیشتر از هر زمان دیگری توجه محققان را به خود جلب كرده است. سیستم تشخیص تهاجم، یك سیستم مدیریت امنیت برای شبكه ها و رایانه ها میباشد. این سیستمها به دو دسته سیستمهای تشخیص تهاجم مبتنی بر میزبان و سیستمهای تشخیص تهاجم مبتنی بر شبكه تقسیم میشوند. در این پژوهش از سیستمهای تشخیص تهاجم مبتنی بر شبكه استفاده شده است.
براساس روش تحلیل و تشخیص نیز سیستمهای تشخیص تهاجم به دو دستة اساسی سیستمهای تشخیص سوءاستفاده و سیستمهای تشخیص ناهنجاری تقسیم میشوند. در مدل تشخیص سوءاستفاده، كه مورد نظر این پژوهش میباشد، از نشانه های شناخته شدهای كه در رابطه با تهاجمات یا آسیب پذیریها وجود دارد، استفاده شده و سیستم به دنبال فعالیتهایی میگردد كه مشابه این نشانه ها باشند. در این مدل نیاز به بهنگامسازی مداوم نشانه ها وجود دارد. هدف در این پژوهش، بررسی برخی روشهای ممكن برای بالا بردن انعطاف پذیری سیستمهای تشخیص تهاجم میباشد تا نیاز به بهنگام سازی سیستم از بین برود و سیستم توانایی شناسایی حملات ناشناختهای كه قبلا ندیده است، را داشته باشد.
یكی از روشهای مطرح در تشخیص تهاجم، بهرهگیری از شبكههای عصبی مصنوعی است. در سالهای اخیر بسیاری از كارهای انجام شده در زمینة تشخیص تهاجم، برروی این موضوع تمركز نموده اند. استفاده از شبكة عصبی در تشخیص تهاجم باعث بالا رفتن انعطاف پذیری میشود. از مزایای شبكة عصبی می توان به قابلیت تحلیل داده های غیركامل شبكه و نیز قابلیت یادگیری آنها اشاره نمود. بنابراین سیستمهای تشخیص تهاجم مبتنی بر شبكة عصبی قابلیت یادگیری رفتار حملات را دارند و قادر هستند حملات جدید را بدون بهنگام
سازی سیستم تشخیص دهند. این سیستمها ابتدا براساس رفتارهای طبیعی و یا حمله و یا تركیبی از هردوی آنها آموزش یافته، سپس جهت تشخیص تهاجم به كار برده میشوند. سیستم تشخیص تهاجم مبتنی بر شبكة عصبی طراحی شده در این پژوهش قادر به دسته بندی حملات به 5 گروه تعریف شده در خروجی میباشد، كه در حقیقت همان پنج گروه موجود در مجموعه دادة آموزشی مورد استفاده میباشد.